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標準編號：GB/T 14141-2009硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的測定 直排四探針法
標準狀態(tài)：現(xiàn)行
標準簡介：本標準規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴散層和離子注入層薄層電阻的方法。本標準適用于測量直徑大于15.9mm 的由外延、擴散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導電類型與被測薄層相反。適用于測量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測量,但其測量*度尚未評估。
英文名稱： Test method for sheet resistance of silicon epitaxial,diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
替代情況： 替代GB/T 14141-1993
中標分類： 冶金>>半金屬與半導體材料>>H80半金屬與半導體材料綜合
ICS分類： 電氣工程>>29.045半導體材料
發(fā)布部門： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
發(fā)布日期： 2009-10-30
實施日期： 2010-06-01
*發(fā)日期： 1993-02-06
提出單位： 全國半導體設備和材料標準化技術委員會(SAC/TC203)
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