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檢測項目及執(zhí)行標準一覽表
| 序號 | 檢測標準 | 檢測對象 | 檢測項目 |
|---|---|---|---|
| 1 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)10 | 晶體管參數 | 發(fā)射*-基*擊穿電壓V(BR)EBO |
| 2 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)3 | 晶體管參數 | 集電*-發(fā)射*截止電流ICEO |
| 3 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)10 | 晶體管參數 | 集電*-發(fā)射*擊穿電壓V(BR) CEO |
| 4 | 分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)2.2 | 晶體管參數 | 發(fā)射*-基*截止電流IEBO |
| 5 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)9.1 | 晶體管參數 | 放大倍數hFE |
| 6 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)2.1 | 晶體管參數 | 集電*-基*截止電流ICBO |
| 7 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)5 | 晶體管參數 | 基*-發(fā)射*飽和電壓VBEsat |
| 8 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)4 | 晶體管參數 | 集電*-發(fā)射*飽和電壓VCEsat |
| 9 | 半導體分立器件和集成電路 第7部分 雙*型晶體管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章 第1節(jié)10 | 晶體管參數 | 集電*-基*擊穿電壓V(BR)CBO |
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據晶體管參數檢測項目而定。
檢測報告有效期
一般晶體管參數檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認需求；
2、推薦方案、確認報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進度跟蹤、結果反饋；
5、出具報告、售后服務；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關于《晶體管參數檢測》內容僅為部分列舉供參考使用，百檢網匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質的檢測機構遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
